O STMicroelectronics STGP7NC60H é um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) de alto desempenho, projetado para aplicações avançadas em eletrônica de potência. Parte da série PowerMESH, este dispositivo semicondutor discreto oferece desempenho robusto em ambientes elétricos desafiadores, apresentando características térmicas e elétricas excepcionais.
Projetado para versatilidade, este transistor de montagem em through-hole opera eficientemente em uma ampla faixa de temperatura, de -55°C até 150°C, tornando-o adequado para eletrônica industrial e automotiva de alta demanda. O dispositivo possui embalagem TO-220AB, que garante excelente dissipadao de calor e durabilidade mecânica.
As principais especificações elétricas incluem uma corrente máxima de coletor de 25A, com capacidade de corrente de pulso de até 50A. O transistor suporta uma tensão de ruptura coletor-emissor elevada de 600V, possibilitando desempenho confiável em aplicações de alta voltagem. Sua tensão de condução (Vce(on)) é notavelmente baixa, de 2,5V, ao operar com 15V e 7A, indicando alta eficiência e perdas de energia mínimas.
O STGP7NC60H apresenta características de comutação impressionantes, com uma carga de porta de 35nC e tempos de comutação de 18,5ns (ativação) e 72ns (desligamento), tornando-o ideal para aplicações que requerem troca rápida e perdas energéticas reduzidas. O dispositivo pode suportar até 80W de potência e é totalmente compatível com RoHS.
Áreas principais de aplicação incluem circuitos de fonte de alimentação, acionamentos de motores, inversores, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e diversos sistemas de controle industrial. Seu design robusto e excelente gerenciamento térmico tornam-o especialmente adequado para equipamentos eletrônicos de alta confiabilidade.
Modelos equivalentes ou alternativos na mesma família de produtos incluem outros IGBTs PowerMESH da STMicroelectronics, como o STG7NC60HD, STG7NC50HD e STG7NC40HD, que oferecem características de desempenho semelhantes com variações leves nas classificações de voltagem e corrente.
A construção sem chumbo do transistor, o nível de sensibilidade à umidade (nível 1) e suas especificações abrangentes de desempenho fazem dele uma solução versátil e confiável para engenheiros que buscam componentes semicondutores de potência de alto desempenho.
STGP7NC60H Atributos Técnicos Chave
O STGP7NC60H é um IGBT de alta tensão e alta velocidade de comutação, com uma tensão de breakdown coletor-emissor de 600V e capacidade de conduzir até 25A continuamente. Possui uma dissipação máxima de potência de 80W e uma carga de gate de 35nC, garantindo resposta rápida às variações de voltagem na gate. Os tempos de comutação são otimizados com 18,5ns de ligado e 72ns de desligado a 25°C, minimizando perdas de energia durante a mudança de estado. Funciona de -55°C a 150°C.
STGP7NC60H Tamanho da Embalagem
O encapsulamento do STGP7NC60H é do tipo TO-220, em embalagem tubo, com montagem através de orifício (through hole), compatível com diversas placas de circuito impresso padrão.
STGP7NC60H Aplicação
Utilizado em aplicações que exigem alta eficiência e rápida comutação, como conversores de energia, inversores e sistemas de gerenciamento de potência.
STGP7NC60H Recursos
O STGP7NC60H é um transistor bipolárico de porta isolada (IGBT) projetado para aplicações de alta voltagem e alta velocidade. Destaca-se por sua capacidade de condução de até 25A, baixo tempo de comutação e resposta rápida, além de operar eficientemente em variados ambientes térmicos.
STGP7NC60H Recursos de Qualidade e Segurança
Este componente é compatível com RoHS, indicando que é livre de substâncias perigosas como chumbo. Seu Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) é 1 (Ilimitado), o que reduz riscos durante manuseio e operação, garantindo maior segurança e confiabilidade.
STGP7NC60H Compatibilidade
O IGBT é destinado para montagem por orifício (through-hole) e vem encapsulado no pacote TO-220, assegurando compatibilidade com uma ampla variedade de layouts padrão de PCB.
STGP7NC60H PDF da Folha de Dados
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