A Cypress Semiconductor S29PL064J60BFI120A é um circuito integrado de memória Flash NOR de alto desempenho, projetado para armazenamento de dados robusto e confiável em aplicações eletrônicas exigentes. Esta solução de memória de 64 megabits (4M x 16) oferece desempenho excepcional com interface paralela, tornando-se ideal para sistemas que demandam armazenamento rápido e não volátil.
Projetado para operar em uma ampla faixa de temperatura, de -40°C a 85°C, esse circuito integrado de memória garante retenção de dados confiável e desempenho em condições ambientais desafiadoras. O dispositivo é alimentado por uma faixa de tensão flexível de 2,7V a 3,6V, assegurando compatibilidade com diversas arquiteturas de sistemas e designs de gerenciamento de energia.
O circuito de memória apresenta um pacote compacto de 48-FBGA (8,15x6,15 mm), que possibilita uso eficiente do espaço e suporta tecnologia de montagem de superfície. Seus tempos de acesso e ciclos de escrita de 60ns proporcionam operações rápidas de leitura e gravação de dados, tornando-o adequado para aplicações que exigem operações de memória ágeis.
Principais vantagens incluem seu design sem chumbo e compatível com RoHS, tecnologia de memória Flash não volátil e construção robusta, adequada para ambientes operacionais extensos. A interface paralela garante integração simples com diversos microcontroladores e sistemas embarcados.
Áreas de aplicação potenciais abrangem eletrônica automotiva, sistemas de controle industrial, equipamentos de telecomunicações, eletrônicos de consumo e instrumentos aeroespaciais/militares, onde a confiabilidade, alta velocidade e desempenho compacto de armazenamento de memória são essenciais.
Modelos equivalentes ou alternativos na linha de produtos Cypress Semiconductor incluem:
S29PL032J60BFI120 (variante de 32Mb)
S29PL128J60BFI120 (modelo de maior capacidade, 128Mb)
Dispositivos similares na série PL-J com especificações parecidas
Este circuito integrado de memória representa uma solução versátil e de alto desempenho para engenheiros que buscam integração confiável, rápida e compacta de memória não volátil em sistemas eletrônicos sofisticados.
S29PL064J60BFI120A Atributos Técnicos Chave
Número da Peça do Fabricante: S29PL064J60BFI120A. Fabricante: Cypress Semiconductor. Capacidade de Memória: 64M (4M x 16).
S29PL064J60BFI120A Tamanho da Embalagem
Tipo de Embalagem: 48-FBGA. Material: Livre de chumbo, em conformidade com a RoHS. Dimensões da Embalagem: 8,15 x 6,15 mm. Características Térmicas: Faixa de Temperatura de Operação de -40°C a 85°C. Propriedades Elétricas: Tensão de Alimentação de 2,7 V a 3,6 V.
S29PL064J60BFI120A Aplicação
Utilizado em uma ampla variedade de aplicações industriais, de computação e eletrônicos de consumo, onde é necessária uma grande capacidade de armazenamento de memória não volátil.
S29PL064J60BFI120A Recursos
O S29PL064J60BFI120A é um chip de memória FLASH NOR de 64 Megabits (4M x 16) com interface de acesso paralelo. Com ciclo de acesso e gravação de 60 nanosegundos, proporciona transferência de dados de alta velocidade para dispositivos nos setores de computação e telecomunicações. A tecnologia FLASH garante integridade de dados robusta e recuperação rápida, essencial para aplicações que exigem alto desempenho.
S29PL064J60BFI120A Recursos de Qualidade e Segurança
Atende ao Nível de Sensibilidade a Umidade MSL 3 (168 horas), assegurando confiabilidade e durabilidade mesmo em condições de umidade. Opera em faixas de temperatura industrial de -40°C a 85°C para alta resistência a temperaturas extremas.
S29PL064J60BFI120A Compatibilidade
O pacote padrão 48-FBGA e a interface paralela do dispositivo oferecem compatibilidade geral com tecnologias modernas de PCB e aplicações que requerem funções de memória não volátil.
S29PL064J60BFI120A PDF da Folha de Dados
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