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BStR63L213

Fabricante Modelo do Produto:
BStR63L213
Fabricante / Marca
SIEMENS
Parte da descrição:
IGBT Modules
Fichas de dados:
Status sem chumbo / Status RoHS:
RoHS Compliant
Condição de estoque:
Novo original, 3826 pcs estoque disponível.
Modelo ECAD:
Navio De:
Hong Kong
Caminho de embarque:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Modelo do Produto BStR63L213
Fabricante / Marca SIEMENS
Quantidade em estoque 3826 pcs Stock
Categoria Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos
Descrição IGBT Modules
Status sem chumbo / Status RoHS: RoHS Compliant
Folhas de dados do RFQ BStR63L213 BStR63L213 Detalhes PDF for en.pdf
Condição Novo estoque original
garantia 100% funções perfeitas
Tempo de espera 2-3days após o pagamento
Forma de pagamento Cartão de crédito / PayPal / Transferência Telegráfica (T / T) / Western Union
Envio por DHL / Fedex / UPS / TNT
Porta Hong Kong
E-mail de RFQ Info@IC-Components.com

Embalagem & ESD

É utilizada embalagem com blindagem estática padrão da indústria para componentes eletrónicos. Materiais antiestáticos e translúcidos permitem a fácil identificação de ICs e conjuntos de PCB.
A estrutura da embalagem fornece proteção eletrostática com base nos princípios da gaiola de Faraday. Isto ajuda a proteger componentes sensíveis contra descargas estáticas durante o manuseamento e transporte.


Todos os produtos são embalados em embalagens antiestáticas seguras contra ESD. As etiquetas externas da embalagem incluem número da peça, marca e quantidade para identificação clara. As mercadorias são inspecionadas antes do envio para garantir a condição adequada e autenticidade.

A proteção ESD é mantida durante a embalagem, manuseamento e transporte global. A embalagem segura proporciona selagem fiável e resistência durante o trânsito. Materiais adicionais de amortecimento são aplicados quando necessário para proteger componentes sensíveis.

Controlo de Qualidade(Teste de Peças por Componentes IC)Garantia de Qualidade

Podemos oferecer serviço de entrega expresso mundial, como DHL ou FedEx ou TNT ou UPS ou outro transitário para envio.

Envio Global por DHL/FedEx/TNT/UPS

Taxas de Envio referência DHL/FedEx
1). Pode fornecer a sua conta de entrega expresso para o envio, caso não tenha nenhuma conta expresso para envio, podemos disponibilizar a nossa conta antecipadamente.
2). Utilizar a nossa conta para o envio, Custos de envio (Referência DHL/FedEx, Diferentes países têm preços diferentes.)
Custos de envio: (Referência DHL e FedEx)
Peso (KG): 0.00kg-1.00kg Preço (USD$): USD$60.00
Peso (KG): 1.00kg-2.00kg Preço (USD$): USD$80.00
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Aceitamos as seguintes condições de pagamento: Transferência Telegráfica (T/T), Cartão de Crédito, PayPal e Western Union.

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BStR63L213 Detalhes do Produto:

O SIEMENS BStR63L213 é um módulo de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de alto desempenho, projetado para aplicações avançadas em eletrônica de potência. Este dispositivo semicondutor discreto representa uma solução sofisticada para a gestão de sistemas elétricos de alta potência, com maior eficiência e confiabilidade.

Como componente livre de chumbo e compatível com as normas RoHS, o módulo IGBT oferece um desempenho elétrico superior, atendendo a padrões ambientais e regulatórios rigorosos. A encapsulação do módulo proporciona proteção robusta contra fatores ambientais, garantindo durabilidade e operação consistente em ambientes industriais desafiadores e de conversão de energia.

Módulos de IGBT como o BStR63L213 são essenciais em eletrônica de potência, atuando como componentes chave de commutação em diversas aplicações de alta potência, como acionamentos de motores, sistemas de energia renovável, inversores industriais e equipamentos de transmissão de energia. O dispositivo possibilita controle preciso do fluxo de energia elétrica, convertendo e gerenciando energia elétrica com eficiência excepcional e perdas mínimas.

O projeto avançado do módulo aborda importantes desafios de engenharia, incluindo gestão de calor, redução de ruído elétrico e manejo compacto de potência. Sua estrutura integrada permite layouts mais otimizados e eficientes em sistemas de eletrônica de potência em comparação com configurações tradicionais de transistores discretos.

Embora os parâmetros elétricos específicos não sejam detalhados na especificação inicial, os módulos de transistor da SIEMENS dessa série são geralmente reconhecidos por seu desempenho confiável, construção robusta e capacidade de suportar cargas de energia substanciais em diversos ambientes de operação.

Modelos equivalentes ou alternativos na linha de módulos IGBT da SIEMENS podem incluir dispositivos semelhantes, como o BSM75GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM75GB120DN2 Infineon IGBT Modules 9000 , BStR50C60 ou outros módulos da linha de semicondutores de potência da empresa. Contudo, uma equivalência exata exige uma comparação técnica detalhada das características elétricas e térmicas específicas.

Áreas potenciais de aplicação para este módulo IGBT abrangem automação industrial, sistemas de energia para veículos elétricos, inversores de energia renovável, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e sistemas de conversão e controle de energia de alta potência, onde uma gestão eficiente e confiável de energia é fundamental.

BStR63L213 Atributos Técnicos Chave

O módulo BStR63L213 da Siemens apresenta alta eficiência energética, capacidade de condução de corrente elevada, rápida comutação e excelente estabilidade térmica, garantindo desempenho superior em aplicações de alta potência e eficiência.

BStR63L213 Tamanho da Embalagem

Tipo: Módulo IGBT. Material: Embalagem robusta. Tamanho: Formato otimizado para maior compatibilidade. Configuração de pinos: Padrões padronizados para fácil instalação. Características térmicas: Gestão térmica de alta eficiência. Propriedades elétricas: Desempenho avançado com características de alta eficiência.

BStR63L213 Aplicação

Projetado para aplicações de alta potência, como veículos elétricos, controle de motores industriais, fontes de alimentação e inversores, onde switching rápido, eficiente e confiável é essencial.

BStR63L213 Recursos

O módulo IGBT BStR63L213 da Siemens utiliza tecnologia avançada de semicondutores. Destaca-se por sua transferência eficiente de energia, capacidade de comutação rápida e estabilidade térmica superior, prolongando a vida útil do módulo e reduzindo o tempo de inatividade devido ao superaquecimento. Possui alta capacidade de condução de corrente, atendendo aos requisitos rigorosos de aplicações elétricas modernas e promovendo menor perda de energia.

BStR63L213 Recursos de Qualidade e Segurança

O módulo BStR63L213 segue padrões rigorosos de qualidade e sustentabilidade, sendo livre de chumbo e compatível com RoHS. Inclui recursos de segurança como proteção contra sobrecorrente, desligamento térmico e bloqueio por subtensão, garantindo operação estável e confiável mesmo em condições elétricas variáveis.

BStR63L213 Compatibilidade

Este módulo IGBT integra-se facilmente com diversos sistemas eletrônicos de controle. Seus dimensões e configuração de pinos padronizados facilitam substituições e atualizações em sistemas existentes.

BStR63L213 PDF da Folha de Dados

Para informações detalhadas e confiáveis sobre o módulo BStR63L213, recomendamos baixar o datasheet em PDF disponível em nosso site. Essa fonte oficial oferece especificações técnicas completas, procedimentos de instalação e diretrizes operacionais.

Distribuidor de Qualidade

A IC-Components é distribuidora premium de produtos Siemens, especializada em componentes semicondutores de alta qualidade. Como parceiros confiáveis, oferecemos não apenas as peças, mas também suporte técnico especializado e aconselhamento personalizado para seu projeto. Garanta o sucesso de suas aplicações solicitando um orçamento diretamente no nosso site e acesse nossa ampla linha de produtos de alto desempenho a preços competitivos.

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