Escolha o seu país ou a sua região.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийtiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescčeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederlandTaiwanTürk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУКРАЇНАO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

Amplificador RF de baixo ruído de banda larga F0424

Image of Integrated Device Technology (IDT) logo

Amplificador RF de baixo ruído de banda larga F0424

Amplificador de RF de banda larga de alto ganho da IDT para aplicações de receptor e transmissor

O F0424 da IDT é um amplificador RF de banda larga de alto ganho de SiGe (silício-germânio) de 600 MHz a 4200 MHz. A combinação de baixo ruído (NF) e alto desempenho de linearidade permite que o dispositivo seja usado em aplicações de receptores e transmissores. O F0424 foi projetado para operar com uma única fonte de alimentação de 5 V ou 3,3 V usando um valor nominal de 70 mA de ICC. Com uma tensão de alimentação de 5 V, o F0424 fornece um ganho de 17,3 dB com +40 dBm OIP3 e 2,3 dB de ruído a 2600 MHz. Este dispositivo é embalado em um DFN fino de 8 pinos de 2 mm x 2 mm com 50 & Omega; Impedâncias de entrada e saída RF de terminação única para facilitar a integração no caminho do sinal.

Características
  • Faixa de RF: 600 MHz a 4200 MHz
  • Figura de ruído = 2,3 dB @ 2600 MHz
  • Ganho = 17,3 dB a 2600 MHz
  • OIP3 = +40 dBm a 2600 MHz
  • Saída P1dB = +21 dBm @ 2600 MHz
  • Fonte de alimentação de 3,3 V ou 5 V
  • Corrente de suprimento (ICC) = 70 mA
  • Corrente de espera de 2 mA
  • Alimentação CC típica de 350 mW com alimentação de 5 V
  • 50 & Omega; impedâncias de entrada e saída
  • Ganho quase constante versus temperatura
  • Faixa de temperatura de operação (TEP): -40 º C a + 105 º C
  • 2 mm x 2 mm, pacote 8-DFN
Aplicações
  • Estações base 4G TDD e FDD
  • Repetidores e DAS
  • Estações base 2G / 3G
  • Handhelds militares
  • Infraestrutura ponto a ponto
  • Infraestrutura de segurança pública