MG150Q2YS51 Módulo IGBT: Recursos, especificações e aplicações

No campo Aplicações industriais de alta potência, a escolha dos componentes certos é importante para garantir a eficiência e a confiabilidade.O módulo IGBT Toshiba MG150Q2YS51 se destaca como uma solução robusta, oferecendo recursos avançados adaptados para tarefas exigentes, como controle de motor e operações de comutação rápida.Este artigo fornece uma exploração aprofundada do MG150Q2YS51, cobrindo suas especificações, circuito equivalente, dimensões de embalagem, alternativas em potencial, aplicações e uma discussão equilibrada sobre suas vantagens e desvantagens.

Catálogo

MG150Q2YS51 Visão geral

O MG75Q2YS51 é um módulo IGBT de alta potência da Toshiba, construído para tarefas industriais exigentes, como controle de motor e operações de comutação rápida.Ele pode lidar com alta corrente e tensão, tornando -a adequada para equipamentos que funcionam continuamente ou precisam de comutação rápida e confiável.Seu design inclui um pacote isolado para melhorar a segurança e reduzir a perda de energia, garantindo melhor desempenho e durabilidade a longo prazo em ambientes severos.Este módulo é amplamente utilizado em inversores, fontes de alimentação e outros sistemas de controle pesados.Para quem gerencia operações em larga escala ou manutenção de sistemas industriais, esse componente oferece uma solução de energia confiável.Order a granel agora para garantir a oferta contínua e as atualizações eficientes do sistema.Entre em contato conosco hoje!

Recursos MG150Q2YS51

• Tipo: N-canal n com diodo anti-paralelo

• Configuração: Meia-ponte completa em um único pacote

• Classificações máximas:

- Tensão do coletor-emissor (v_CE): 1200 v

- Corrente do coletor (i_C): 200 a a 25 ° C

- Tensão do portão-emissor (v_Ge): ± 20 V.

- Dissipação de energia (p_c): 1250 w

- Temperatura da junção (t_j): 150 ° C.

• Desempenho:

- Baixa tensão de saturação (V_{CE (SAT)}): 3,6 V máx

- Switching rápido: Tempo de subida (t_r) de 50 ns

- Alta impedância de entrada: Operação no modo de aprimoramento

• Pacote: Módulo de caso isolado

MG150Q2YS51 Especificações

Classificações máximas

CARACTERÍSTICA		SÍMBOLO	AVALIAÇÃO	UNIDADE
Tensão do coletor-emissor		VCes	1200	V
Tensão do portão-emissor		VGes	± 20	V
Corrente do coletor	DC	EUC (25 ° C / 80 ° C)	200/150	UM
	1ms	EUCp (25 ° C / 80 ° C)	400/300	UM
Corrente para frente	DC	EUF	150	UM
	1ms	EUFm	300	UM
Dissipação de energia do coletor (TC = 25 ° C)		PC	1250	C
Temperatura da junção		Tj	150	° c
Faixa de temperatura de armazenamento		Tstg	-40 ~ 125	° c
Tensão de isolamento		VIsol	2500 (AC 1 minuto)	V
Torque de parafuso (terminal / montagem)		-	3/3	N · m

Características elétricas

CARACTERÍSTICA	SÍMBOLO	Condição de teste	Min.	TIPO.	Máx.	UNIDADE
Corrente de vazamento do portão	EUGes	VGe = ± 20V, vCE = 0	-	-	± 500	n / D
Corrente de corte do coletor	EUCes	VCE= 1200V, vGe= 0	-	-	2.0	MA
Tensão de corte do portão-EMTILTE	VGE (Off)	EUC= 150mA, vCE= 5V	3.0	-	6.0	V
Tensão de saturação do coletor-emitidor	VCE (SAT)	EUC= 150a, vGe= 15V tj= 25 ° C.	-	2.8	3.6	V
		EUC= 150a, vGe= 15V tj= 125 ° C.	-	3.1	4.0	V
Capacitância de entrada	Cies	VCE= 10V, vGe= 0, f = 1MHz	-	18.0	-	nf
Tempo de troca Tempo de atraso de ativação	tvestir)	Carga indutiva vCc= 600V iC= 150a VGe= ± 15V rG= 5.6Ω	-	0,05	-	µs
Tempo de troca Tempo de subida	Tᵣ		-	0,05	-
Tempo de troca Tempo de ativação	tsobre		-	0,5	-
Tempo de troca Tempo de atraso de desligamento	tD (desligado)		-	0,2	-
Tempo de troca Tempo de outono	tf		-	0.1	0,3
Tempo de troca Tempo de desligamento	tdesligado		-	0,6	-
Tensão para a frente	VF	EUF= 150a, vGe= 0	-	2.4	3.5	V
Tempo de recuperação reversa	trr	EUF= 150a, vGe= -10V di/dt = 700a/µs	-	0.1	0,25	µs
Resistência térmica	RTh (J-C)	Estágio do transistor	-	-	0.1	° c/w
		Estágio do diodo	-	-	0,24

MG150Q2YS51 Circuito equivalente

O circuito equivalente do MG150Q2YS51 mostra duas unidades IGBT conectadas em uma configuração de meia ponte.Cada IGBT possui um diodo de roda livre embutida, que permite que a corrente flua na direção oposta quando o IGBT estiver desligado.Os terminais são rotulados da seguinte forma: C1 e E2 são a principal entrada e saída de potência;E1 é a conexão comum entre os dois IGBTs;G1 e G2 são os terminais do portão para o controle de comutação;e E1/C2 atua como a conexão emissor/coletor compartilhada entre os dois transistores.Essa configuração é típica para acionar motores ou inversores, onde é necessária uma comutação rápida e eficiente.

Esboço do pacote MG150Q2YS51

As dimensões da embalagem do módulo MG150Q2YS51 são claramente mostradas no diagrama.O comprimento total do módulo é de 106 mm, a largura é de 60 mm e a altura é de cerca de 30,4 mm.Os principais orifícios de montagem são espaçados a 93 mm de distância, com um período de montagem total de 108 mm.O módulo possui três terminais principais na parte superior, espaçados 25 mm de distância e inclui orifícios de parafuso M5 para montagem segura.As guias rápidas estão disponíveis para conexões de portão e auxiliares, facilitando a instalação.Esse design compacto e resistente permite ajuste seguro e fácil integração nos sistemas de controle de energia.

MG150Q2YS51 Alternativas

• MG75Q2YS51

• MG100Q2YS51

• MG150Q2YS50

• MG150Q2YS40

• MG150Q2YS65H

• MG150J1BS11

• MG150J2YS50

• MG150J7KS60

• FF150R12KT4

• CM150DY-24A

• SKM150GB126D

Aplicativos MG150Q2YS51

Sistemas de controle de motor: Ideal para acionamentos motores industriais, oferecendo controle preciso e alta eficiência.

Aplicativos de comutação de alta potência: Adequado para sistemas como inversores de energia e conversores, onde é necessária uma comutação rápida e eficiente.

Fontes de alimentação ininterrupta (UPS): Garante transição e estabilidade de energia sem costura nos sistemas de energia de backup.

Equipamento de automação industrial: Usado em máquinas que exigem componentes robustos e confiáveis ​​de controle de energia.

Sistemas de energia renovável: Aplicável em conversores solares e de energia eólica, facilitando a transformação eficiente de energia.

Vantagens e desvantagens do MG150Q2YS51

Vantagens

Alta impedância de entrada: O MG150Q2YS51 possui alta impedância de entrada, permitindo requisitos mais fáceis de unidade de portão e circuitos de controle mais simples.​

Velocidade de troca rápida: Com um tempo máximo de outono (t_f) de 0,3 microssegundos sob carga indutiva, este módulo suporta operações rápidas de comutação, aumentando a eficiência em aplicações como acionamentos de motor.​

Baixa tensão de saturação: O módulo exibe uma baixa tensão de saturação do coletor-emitidor (v_{CE (SAT)}) de 3,6V Max, que reduz as perdas de condução e melhora a eficiência geral do sistema.Configuração integrada de meia ponte: a incorporação de uma meia ponte completa em um pacote simplifica o design do circuito e reduz a contagem de componentes, levando a sistemas mais compactos e confiáveis.​

Placa de base isolada: Os eletrodos são isolados do caso, fornecendo isolamento elétrico que aumenta a segurança e simplifica o gerenciamento térmico.​

Desvantagens

Switching Perdas: Embora o MG150Q2YS51 ofereça uma comutação rápida, ele ainda pode sofrer perdas com troca, especialmente em frequências mais altas.Essa é uma característica comum dos módulos IGBT e pode afetar a eficiência em determinadas aplicações.​

Requisitos de gerenciamento térmico: Devido às suas capacidades de alta potência, o gerenciamento térmico eficaz é necessário para manter o desempenho ideal e evitar superaquecimento.São necessárias soluções adequadas de refrigeração para garantir a confiabilidade.​

Bloqueio de tensão reversa limitada: O IGBTS, incluindo o MG150Q2YS51, normalmente não bloqueia bem a tensão reversa.Em aplicações em que é necessário o bloqueio de tensão reversa, componentes adicionais como diodos podem ser necessários.​

Fabricante

A Toshiba Corporation é um conglomerado multinacional japonês com sede em Minato, Tóquio.Fundada em 1939 através da fusão de Shibaura Seisaku-sho (criada em 1875) e Tóquio Denki (criado em 1890), a empresa adotou oficialmente o nome "Toshiba" em 1978. A Toshiba opera em vários setores, incluindo sistemas de energia, soluções de infraestrutura, armazenamento e dispositivos eletrônicos e soluções e soluções.Historicamente, a empresa tem sido pioneira em vários avanços tecnológicos, como o desenvolvimento da tecnologia de memória flash.Ao longo dos anos, a Toshiba passou por transformações consideráveis, incluindo o spin-off de sua divisão de memória em uma entidade separada chamada Kioxia.

Conclusão

Em resumo, o módulo IGBT Toshiba MG150Q2YS51 incorpora uma mistura de alto desempenho, design compacto e versatilidade, tornando -o um ativo valioso em várias aplicações industriais.Embora apresente vantagens notáveis, como alta impedância de entrada e velocidades de comutação rápidas, considerações sobre gerenciamento térmico e perdas de comutação são a utilização ideal ideal.O entendimento dessas facetas permite que os engenheiros e especialistas em compras tomem decisões informadas, garantindo a integração perfeita do MG150Q2YS51 em seus sistemas.

PDF da folha de dados

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